Artikelnummer | BFR193E6327HTSA1 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 8GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz |
Gewinnen | 10dB ~ 15dB |
Leistung max | 580mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 30mA, 8V |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 80mA |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
Gewicht | - |
Ursprungsland | - |