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Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - Bipolaires (BJT) - RF › BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Numéro d'article
BFR193E6327HTSA1
Fabricant
Infineon Technologies
Brève description
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
BFR193E6327HTSA1 Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
1712610 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.09614/pcs
Notre prix
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BFR193E6327HTSA1 Description détaillée

Numéro d'article BFR193E6327HTSA1
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 12V
Fréquence - Transition 8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Gain 10dB ~ 15dB
Puissance - Max 580mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80mA
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Package de périphérique fournisseur SOT-23-3
Poids -
Pays d'origine -

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