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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › BFR193E6327HTSA1
BFR193E6327HTSA1

BFR193E6327HTSA1 - Infineon Technologies

Numero di parte
BFR193E6327HTSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Breve descrizione
RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
BFR193E6327HTSA1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
1712610 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.09614/pcs
Il nostro prezzo
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BFR193E6327HTSA1 Descrizione dettagliata

Numero di parte BFR193E6327HTSA1
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 12V
Frequenza - Transizione 8GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Guadagno 10dB ~ 15dB
Potenza - Max 580mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Peso -
Paese d'origine -

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