GB1600032 - Diodes Incorporated

номер части	GB1600032
Статус детали	Active
Тип	MHz Crystal
частота	16MHz
Стабильность частоты	±30ppm
Допуск частоты	±30ppm
Емкость нагрузки	30pF
ESR (Сопротивление эквивалентной серии)	40 Ohm
Рабочий режим	Fundamental
Рабочая Температура	-20°C ~ 70°C
Рейтинги	-
Тип монтажа	Through Hole
Упаковка / чехол	HC49/US
Размер / размер	0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm)
Высота - сидя (макс.)	0.138" (3.50mm)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
GB1000008	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	подробности
GB1000015	Diodes Incorporated	CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH	подробности
GB1000017	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	подробности
GB100TS60K	IR	GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GB100XCP12-227	GeneSiC Semiconductor	IGBT 1200V 100A SOT-227	подробности
GB1020003	Diodes Incorporated	CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K	подробности
GB10MPS17-247	GeneSiC Semiconductor	SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2	подробности
GB10RF60K	ORIGINAL	GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
GB10SLT12-214	GeneSiC Semiconductor	SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A	подробности
GB10SLT12-220	GeneSiC Semiconductor	DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC	подробности