| Numéro d'article | GB1600032 |
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| État de la pièce | Active |
| Type | MHz Crystal |
| La fréquence | 16MHz |
| Stabilité de fréquence | ±30ppm |
| Tolérance de fréquence | ±30ppm |
| Capacité de charge | 30pF |
| ESR (résistance série équivalente) | 40 Ohm |
| Mode de fonctionnement | Fundamental |
| Température de fonctionnement | -20°C ~ 70°C |
| Évaluations | - |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | HC49/US |
| Taille / Dimension | 0.441" L x 0.197" W (11.20mm x 5.00mm) |
| Hauteur - Assis (Max) | 0.138" (3.50mm) |
| Poids | - |
| Pays d'origine | - |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | Vue |
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GB1000008 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
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GB1000015 | Diodes Incorporated | CRYSTAL 10.0000MHZ 30PF TH | Détails |
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GB1000017 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
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GB100TS60K | IR | GB100TS60K IR SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
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GB100XCP12-227 | GeneSiC Semiconductor | IGBT 1200V 100A SOT-227 | Détails |
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GB1020003 | Diodes Incorporated | CRYSTAL METAL CAN DIP49S TR 1K | Détails |
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GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor | SIC DIODE 1700V 10A TO-247-2 | Détails |
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GB10RF60K | ORIGINAL | GB10RF60K ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks | Détails |
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GB10SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A | Détails |
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GB10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO220AC | Détails |
