CWDM3011P TR13 - Central Semiconductor Corp

номер части	CWDM3011P TR13
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	P-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	30V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	11A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	80nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	3100pF @ 8V
Vgs (Макс.)	20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Упаковка / чехол	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
CWDM3011N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	подробности
CWDM3011P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC	подробности
CWDM305N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC	подробности
CWDM305ND TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC	подробности
CWDM305P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC	подробности
CWDM305PD TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC	подробности