CWDM3011P TR13 - Central Semiconductor Corp

Número de pieza: CWDM3011P TR13
Fabricante: Central Semiconductor Corp
Breve descripción: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Código de fecha: New
Cantidad de stock: 12500 pcs
Precio de referencia: USD 0.3828/pcs
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Número de pieza	CWDM3011P TR13
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	11A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 8V
Vgs (Max)	20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SOIC
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso	-
País de origen	-

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
CWDM3011N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	Detalles
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