CWDM3011P TR13 - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	CWDM3011P TR13
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3100pF @ 8V
Vgs (Max)	20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 11A, 10V
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	8-SOIC
Paquet / cas	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
CWDM3011N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC	Détails
CWDM3011P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC	Détails
CWDM305N TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET N-CH 30V 5.8A 8SOIC	Détails
CWDM305ND TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC	Détails
CWDM305P TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET P-CH 16V 5.3A 8SOIC	Détails
CWDM305PD TR13	Central Semiconductor Corp	MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8SOIC	Détails