| номер части | 2N5116 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Напряжение - пробой (V (BR) GSS) | 30V |
| Слив к источнику напряжения (Vdss) | - |
| Текущий - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 5mA @ 15V |
| Текущий слив (Id) - Макс. | - |
| Напряжение - обрезание (VGS выключено) @ Id | 1V @ 1nA |
| Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds | 25pF @ 15V |
| Сопротивление - RDS (Вкл.) | 150 Ohm |
| Мощность - макс. | 500mW |
| Рабочая Температура | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
| Пакет устройств поставщика | TO-18 |
| Вес | - |
| Страна происхождения | - |
| Образ | номер части | Производители | Описание | Посмотреть |
|---|---|---|---|---|
 |
2N0303 | INFINEON | 2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks | подробности |
|
2N03L10 | INFINEON | 2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks | подробности |
|
2N1008 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008A | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1008B | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
|
2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | подробности |
 |
2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | подробности |
|
2N1057 | EXSHINE | alloy-junction germanium transistors | подробности |
