2N5116 - Central Semiconductor Corp

Numéro d'article	2N5116
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS)	30V
Drain à la tension de source (Vdss)	-
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0)	5mA @ 15V
Drain de courant (Id) - Max	-
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id	1V @ 1nA
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	25pF @ 15V
Résistance - RDS (On)	150 Ohm
Puissance - Max	500mW
Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Paquet / cas	TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur	TO-18
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
2N0303	INFINEON	2N0303 INFINEON TO-220 New Original Stocks	Détails
2N03L10	INFINEON	2N03L10 INFINEON TO-251 New Original Stocks	Détails
2N1008	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008A	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1008B	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails
2N1011	EXSHINE	germanium transistors	Détails
2N1016B	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016C	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1016D	Microsemi Corporation	NPN TRANSISTOR	Détails
2N1057	EXSHINE	alloy-junction germanium transistors	Détails