NE3512S02-T1C-A - CEL

номер части	NE3512S02-T1C-A
Статус детали	Obsolete
Тип транзистора	HFET
частота	12GHz
Усиление	13.5dB
Напряжение - испытание	2V
Текущий рейтинг	70mA
Коэффициент шума	0.35dB
Текущий - Тест	10mA
Выходная мощность	-
Напряжение - Номинальное напряжение	4V
Упаковка / чехол	4-SMD, Flat Leads
Пакет устройств поставщика	S02
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
NE3510M04-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04	подробности
NE3510M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 4GHZ M04	подробности
NE3511S02-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02	подробности
NE3511S02-T1C-A	CEL	IC AMP RF LNA 13.5DB S02	подробности
NE3512S02-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02	подробности
NE3512S02-T1C-A	CEL	HJ-FET NCH 13.5DB S02	подробности
NE3512S02-T1D	NEC	NE3512S02-T1D NEC SMD or Through Hole New Original Stocks	подробности
NE3513M04-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	подробности
NE3513M04-T2-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	подробности
NE3513M04-T2B-A	CEL	FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD	подробности