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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF › NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A - CEL

부품 번호
NE3512S02-T1C-A
제조사
CEL
간단한 설명
HJ-FET NCH 13.5DB S02
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
NE3512S02-T1C-A PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
NE3512S02-T1C-A.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
4339 pcs
참고 가격
USD 0/pcs
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에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A 상세 설명

부품 번호 NE3512S02-T1C-A
부품 상태 Obsolete
트랜지스터 유형 HFET
회수 12GHz
이득 13.5dB
전압 - 테스트 2V
전류 정격 70mA
잡음 지수 0.35dB
전류 - 테스트 10mA
전력 출력 -
전압 - 정격 4V
패키지 / 케이스 4-SMD, Flat Leads
공급 업체 장치 패키지 S02
무게 -
원산지 -

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