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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - RF › NE3512S02-T1C-A
NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A - CEL

品番
NE3512S02-T1C-A
メーカー
CEL
簡単な説明
HJ-FET NCH 13.5DB S02
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
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データシートPDFダウンロード
NE3512S02-T1C-A.pdf
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - RF
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
4182 pcs
参考価格
USD 0/pcs
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NE3512S02-T1C-A 詳細な説明

品番 NE3512S02-T1C-A
部品ステータス Obsolete
トランジスタタイプ HFET
周波数 12GHz
利得 13.5dB
電圧 - テスト 2V
電流定格 70mA
ノイズフィギュア 0.35dB
電流 - テスト 10mA
電力出力 -
電圧 - 定格 4V
パッケージ/ケース 4-SMD, Flat Leads
サプライヤデバイスパッケージ S02
重量 -
原産国 -

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