NE3512S02-T1C-A

NE3512S02-T1C-A - CEL

Numéro d'article
NE3512S02-T1C-A
Fabricant
CEL
Brève description
HJ-FET NCH 13.5DB S02
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
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Fiche technique PDF Download
NE3512S02-T1C-A.pdf
Catégorie
Transistors - FET, MOSFET - RF
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
3652 pcs
Prix ​​de référence
USD 0/pcs
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NE3512S02-T1C-A Description détaillée

Numéro d'article NE3512S02-T1C-A
État de la pièce Obsolete
Type de transistor HFET
La fréquence 12GHz
Gain 13.5dB
Tension - Test 2V
Note actuelle 70mA
Figure de bruit 0.35dB
Actuel - Test 10mA
Puissance - Sortie -
Tension - Rated 4V
Paquet / cas 4-SMD, Flat Leads
Package de périphérique fournisseur S02
Poids -
Pays d'origine -

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