TN5325N3-G-P002 - Microchip Technology

номер части	TN5325N3-G-P002
Статус детали	Active
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	250V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	215mA (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	110pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	-
Рассеиваемая мощность (макс.)	740mW (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Рабочая Температура	-
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-92-3
Упаковка / чехол	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Вес	-
Страна происхождения	-

номер части	Производители	Описание	Посмотреть
TN5325K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V SOT23-3	подробности
TN5325N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	подробности
TN5325N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	подробности
TN5325N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3	подробности