TN5325N3-G-P002 - Microchip Technology

Artikelnummer	TN5325N3-G-P002
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	215mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	740mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Betriebstemperatur	-
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	TO-92-3
Paket / Fall	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
TN5325K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V SOT23-3	Einzelheiten
TN5325N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Einzelheiten
TN5325N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Einzelheiten
TN5325N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3	Einzelheiten