TN5325N3-G-P002 - Microchip Technology

Numero di parte	TN5325N3-G-P002
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	215mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-92-3
Pacchetto / caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
TN5325K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V SOT23-3	Dettagli
TN5325N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Dettagli
TN5325N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Dettagli
TN5325N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3	Dettagli