TN5325N3-G-P002 - Microchip Technology

Numéro d'article	TN5325N3-G-P002
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	215mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	110pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	740mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7 Ohm @ 1A, 10V
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-92-3
Paquet / cas	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
TN5325K1-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V SOT23-3	Détails
TN5325N3-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Détails
TN5325N3-G-P002	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3	Détails
TN5325N8-G	Microchip Technology	MOSFET N-CH 250V 0.316A SOT89-3	Détails