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VP0808B-E3 - Vishay Siliconix

부품 번호: VP0808B-E3
제조사: Vishay Siliconix
간단한 설명: MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: VP0808B-E3 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: VP0808B-E3.pdf
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 3923 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

VP0808B-E3 상세 설명

부품 번호	VP0808B-E3
부품 상태	Obsolete
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	80V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	880mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)	10V
Vgs (th) (최대) @ Id	4.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	150pF @ 25V
Vgs (최대)	±20V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	6.25W (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs	5 Ohm @ 1A, 10V
작동 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Through Hole
공급 업체 장치 패키지	TO-39
패키지 / 케이스	TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
무게	-
원산지	-

관련 제품 VP0808B-E3

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	VP0808B	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205	세부
	VP0808B-2	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205	세부
	VP0808B-E3	Vishay Siliconix	MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205	세부
	VP0808CHP	EXSHINE	P-Channel Enhancement-Mode D-MOS POWER FETs	세부
	VP0808L-G	Microchip Technology	MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3	세부
	VP0808M	EXSHINE	P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors	세부
	VP0865840000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB	세부
	VP0865850000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB	세부
	VP0865870000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB	세부
	VP0865880000G	Amphenol Anytek	TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB	세부