| Número de pieza | VP0808B-E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 880mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 6.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-39 |
| Paquete / caja | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Peso | - |
| País de origen | - |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
|
VP0808B | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Detalles |
|
VP0808B-2 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Detalles |
|
VP0808B-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Detalles |
 |
VP0808CHP | EXSHINE | P-Channel Enhancement-Mode D-MOS POWER FETs | Detalles |
,TO-226_straightlead.jpg "VP0808L-G") |
VP0808L-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 80V 0.28A TO92-3 | Detalles |
|
VP0808M | EXSHINE | P-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors | Detalles |
 |
VP0865840000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB | Detalles |
|
VP0865850000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB | Detalles |
|
VP0865870000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB | Detalles |
|
VP0865880000G | Amphenol Anytek | TERM BLK 8P SIDE ENT 10.16MM PCB | Detalles |
