| Numero di parte | VP0808B-E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 880mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 6.25W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 1A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-39 |
| Pacchetto / caso | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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VP0808B | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Dettagli |
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VP0808B-2 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 0.88A TO-205 | Dettagli |
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