| 부품 번호 | IRF610LPBF |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 200V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 3.3A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 250µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 140pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | I2PAK |
| 패키지 / 케이스 | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 세부 |
 |
IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 세부 |
 |
IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 세부 |
 |
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 세부 |
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 세부 |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 세부 |
|
IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 세부 |
|
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 세부 |
|
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 세부 |
 |
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 세부 |
