| 부품 번호 | IRF60DM206 |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 130A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 3.7V @ 150µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 200nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 6530pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 96W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 2.9 mOhm @ 80A, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 공급 업체 장치 패키지 | DirectFET™ Isometric ME |
| 패키지 / 케이스 | DirectFET™ Isometric ME |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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IRF60B217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 60A | 세부 |
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IRF60DM206 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 130A | 세부 |
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IRF60R217 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 58A | 세부 |
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IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 세부 |
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IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | 세부 |
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IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | 세부 |
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IRF610L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 세부 |
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IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | 세부 |
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IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | 세부 |
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IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | 세부 |
