IRF610LPBF

IRF610LPBF - Vishay Siliconix

Número de pieza
IRF610LPBF
Fabricante
Vishay Siliconix
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
29009 pcs
Precio de referencia
USD 0.8916/pcs
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IRF610LPBF Descripción detallada

Número de pieza IRF610LPBF
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 3W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor I2PAK
Paquete / caja TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso -
País de origen -

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