TPCP8J01(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

부품 번호	TPCP8J01(TE85L,F,M
부품 상태	Active
FET 유형	P-Channel
과학 기술	MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	32V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id	2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (최대)	±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	1760pF @ 10V
FET 기능	-
전력 발산 (최대)	2.14W (Ta)
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
공급 업체 장치 패키지	PS-8
패키지 / 케이스	8-SMD, Flat Lead
무게	-
원산지	-

영상	부품 번호	제조사	기술	전망
	TPCP8J01	TOSHIBA	TPCP8J01 TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	세부
	TPCP8J01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS	세부