TPCP8J01(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

品番	TPCP8J01(TE85L,F,M
部品ステータス	Active
FETタイプ	P-Channel
技術	MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss）	32V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）	5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On（Max）@ Id、Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs（th）（Max）@ Id	2V @ 1mA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs	34nC @ 10V
Vgs（最大）	±20V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds	1760pF @ 10V
FET機能	-
消費電力（最大）	2.14W (Ta)
動作温度	150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ	PS-8
パッケージ/ケース	8-SMD, Flat Lead
重量	-
原産国	-

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	TPCP8J01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS	詳細