TPCP8J01(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Numéro d'article	TPCP8J01(TE85L,F,M
État de la pièce	Active
FET Type	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	32V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 10V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	2.14W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de périphérique fournisseur	PS-8
Paquet / cas	8-SMD, Flat Lead
Poids	-
Pays d'origine	-

Image	Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
	TPCP8J01	TOSHIBA	TPCP8J01 TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	Détails
	TPCP8J01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS	Détails