TPCP8J01(TE85L,F,M - Toshiba Semiconductor and Storage

Artikelnummer	TPCP8J01(TE85L,F,M
Teilstatus	Active
FET Typ	P-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	32V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	5.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	35 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	1760pF @ 10V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	2.14W (Ta)
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	PS-8
Paket / Fall	8-SMD, Flat Lead
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Bild	Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
	TPCP8J01	TOSHIBA	TPCP8J01 TOSHIBA SOT23-.. New Original Stocks	Einzelheiten
	TPCP8J01(TE85L,F,M	Toshiba Semiconductor and Storage	X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS	Einzelheiten