| 부품 번호 | CIG32H2R2MNE |
|---|---|
| 부품 상태 | Active |
| 유형 | Multilayer |
| 재료 - 핵심 | - |
| 인덕턴스 | 2.2µH |
| 공차 | ±20% |
| 전류 정격 | 1.6A |
| 현재 - 채도 | 2.9A |
| 차폐물 | Shielded |
| DC 저항 (DCR) | 125 mOhm |
| Q @ Freq | - |
| 주파수 - 자기 공명 | - |
| 평점 | - |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C |
| 빈도 - 테스트 | 1MHz |
| 풍모 | - |
| 실장 형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 1210 (3225 Metric) |
| 공급 업체 장치 패키지 | - |
| 크기 / 치수 | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
| 높이 장착 - 최대 (최대) | - |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
|---|---|---|---|---|
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CIG32H2R2MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM | 세부 |
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CIG32W1R0MNE | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | FIXED IND 1UH 1.5A 60 MOHM SMD | 세부 |
