CIG32H2R2MNE

CIG32H2R2MNE - Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Artikelnummer
CIG32H2R2MNE
Hersteller
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Kurze Beschreibung
FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
CIG32H2R2MNE PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Mit fester Induktivität
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
177554 pcs
Referenzpreis
USD 0.1507/pcs
Unser Preis
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CIG32H2R2MNE detaillierte Beschreibung

Artikelnummer CIG32H2R2MNE
Teilstatus Active
Art Multilayer
Material - Kern -
Induktivität 2.2µH
Toleranz ±20%
Aktuelle Bewertung 1.6A
Aktuell - Sättigung 2.9A
Abschirmung Shielded
Gleichstromwiderstand (DCR) 125 mOhm
Q @ Freq -
Frequenz - Eigenresonant -
Bewertungen -
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C
Häufigkeit - Test 1MHz
Eigenschaften -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 1210 (3225 Metric)
Lieferantengerätepaket -
Größe / Dimension 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Höhe - Sitzend (Max) -
Gewicht -
Ursprungsland -

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