CIG32H2R2MNE

CIG32H2R2MNE - Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Número de pieza
CIG32H2R2MNE
Fabricante
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Breve descripción
FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría
Fijo
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
175298 pcs
Precio de referencia
USD 0.1507/pcs
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CIG32H2R2MNE Descripción detallada

Número de pieza CIG32H2R2MNE
Estado de la pieza Active
Tipo Multilayer
Material - Núcleo -
Inductancia 2.2µH
Tolerancia ±20%
Valoración actual 1.6A
Actual - Saturación 2.9A
Blindaje Shielded
Resistencia DC (DCR) 125 mOhm
Q @ Freq -
Frecuencia - Resonante automático -
Calificaciones -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C
Frecuencia - Prueba 1MHz
Caracteristicas -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 1210 (3225 Metric)
Paquete de dispositivo del proveedor -
Tamaño / Dimensión 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Altura: sentado (máximo) -
Peso -
País de origen -

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