CIG32H2R2MNE

CIG32H2R2MNE - Samsung Electro-Mechanics America, Inc.

Numéro d'article
CIG32H2R2MNE
Fabricant
Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
Brève description
FIXED IND 2.2UH 1.6A 125 MOHM
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne
CIG32H2R2MNE Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download
-
Catégorie
Fixe
Heure de livraison
1 Day
Code de date
New
Quantité en stock
169575 pcs
Prix ​​de référence
USD 0.1507/pcs
Notre prix
Envoyer par email: [email protected]

Veuillez remplir le formulaire ci-dessous pour demander un devis pour CIG32H2R2MNE

CIG32H2R2MNE Description détaillée

Numéro d'article CIG32H2R2MNE
État de la pièce Active
Type Multilayer
Matériel - Noyau -
Inductance 2.2µH
Tolérance ±20%
Note actuelle 1.6A
Courant - Saturation 2.9A
Blindage Shielded
Résistance DC (DCR) 125 mOhm
Q @ Freq -
Fréquence - Self Resonant -
Évaluations -
Température de fonctionnement -40°C ~ 125°C
Fréquence - Test 1MHz
Caractéristiques -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 1210 (3225 Metric)
Package de périphérique fournisseur -
Taille / Dimension 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm)
Hauteur - Assis (Max) -
Poids -
Pays d'origine -

PRODUITS CONNEXES POUR CIG32H2R2MNE