• 대한민국
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF › S200-50
S200-50

S200-50 - Microsemi Corporation

부품 번호
S200-50
제조사
Microsemi Corporation
간단한 설명
TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
S200-50 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
-
범주
트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
137 pcs
참고 가격
USD 188.418/pcs
우리의 가격
이메일로 보내기 : [email protected]

에 대한 견적을 요청하려면 아래 양식을 작성하십시오 S200-50

S200-50 상세 설명

부품 번호 S200-50
부품 상태 Active
트랜지스터 유형 NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) 110V
빈도 - 전환 1.5MHz ~ 30MHz
잡음 지수 (dB Typ @ f) -
이득 12dB ~ 14.5dB
전력 - 최대 320W
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) 30A
작동 온도 150°C (TJ)
실장 형 Chassis Mount
패키지 / 케이스 55HX
공급 업체 장치 패키지 55HX
무게 -
원산지 -

관련 제품 S200-50

영상 부품 번호 제조사 기술 전망
S20 S20 SECOS VOLTAGE 50V ~ 1000V 0.8AMP Single Phase Surface Mount Bridge Rectifiers 세부
S200-50 S200-50 Microsemi Corporation TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX 세부
S200-50A S200-50A Microsemi Corporation RF POWER TRANSISTOR 세부
S2000AF S2000AF STMicroelectronics TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX 세부
S2000AF1 S2000AF1 ST S2000AF1 ST TO-3P New Original Stocks 세부
S2000F S2000F EXSHINE TO-39(H) PACKAGE SERIES 세부
S2001L S2001L TECCOR SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE 세부
S2003L S2003L TECCOR SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE 세부
S2004DS1 S2004DS1 TECCOR Sensitive SCRs 세부
S2004DS1RP S2004DS1RP Littelfuse Inc. SCR SENS 200V 4A TO-252 세부