S200-50 - Microsemi Corporation

Numéro d'article	S200-50
État de la pièce	Active
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	110V
Fréquence - Transition	1.5MHz ~ 30MHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	-
Gain	12dB ~ 14.5dB
Puissance - Max	320W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 1A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	30A
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Paquet / cas	55HX
Package de périphérique fournisseur	55HX
Poids	-
Pays d'origine	-

Numéro d'article	Les fabricants	La description	Vue
S20	SECOS	VOLTAGE 50V ~ 1000V 0.8AMP Single Phase Surface Mount Bridge Rectifiers	Détails
S200-50	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX	Détails
S200-50A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Détails
S2000AF	STMicroelectronics	TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX	Détails
S2000AF1	ST	S2000AF1 ST TO-3P New Original Stocks	Détails
S2000F	EXSHINE	TO-39(H) PACKAGE SERIES	Détails
S2001L	TECCOR	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE	Détails
S2003L	TECCOR	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE	Détails
S2004DS1	TECCOR	Sensitive SCRs	Détails
S2004DS1RP	Littelfuse Inc.	SCR SENS 200V 4A TO-252	Détails