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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - Bipolar (BJT) - RF › S200-50
S200-50

S200-50 - Microsemi Corporation

Número de pieza
S200-50
Fabricante
Microsemi Corporation
Breve descripción
TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
S200-50 Navegación en línea de PDF
Descargar hoja de datos en PDF
-
Categoría
Transistores - Bipolar (BJT) - RF
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
141 pcs
Precio de referencia
USD 188.418/pcs
Nuestro precio
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S200-50 Descripción detallada

Número de pieza S200-50
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 110V
Frecuencia - Transición 1.5MHz ~ 30MHz
Figura de ruido (dB Typ @ f) -
Ganancia 12dB ~ 14.5dB
Potencia - Max 320W
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 30A
Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja 55HX
Paquete de dispositivo del proveedor 55HX
Peso -
País de origen -

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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