S200-50 - Microsemi Corporation

Artikelnummer	S200-50
Teilstatus	Active
Transistor-Typ	NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.)	110V
Frequenz - Übergang	1.5MHz ~ 30MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)	-
Gewinnen	12dB ~ 14.5dB
Leistung max	320W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 1A, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max)	30A
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Chassis Mount
Paket / Fall	55HX
Lieferantengerätepaket	55HX
Gewicht	-
Ursprungsland	-

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	Aussicht
S20	SECOS	VOLTAGE 50V ~ 1000V 0.8AMP Single Phase Surface Mount Bridge Rectifiers	Einzelheiten
S200-50	Microsemi Corporation	TRANS RF BIPO 110V 30A 55HX	Einzelheiten
S200-50A	Microsemi Corporation	RF POWER TRANSISTOR	Einzelheiten
S2000AF	STMicroelectronics	TRANS NPN 700V 8A ISOWATT218FX	Einzelheiten
S2000AF1	ST	S2000AF1 ST TO-3P New Original Stocks	Einzelheiten
S2000F	EXSHINE	TO-39(H) PACKAGE SERIES	Einzelheiten
S2001L	TECCOR	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE	Einzelheiten
S2003L	TECCOR	SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE	Einzelheiten
S2004DS1	TECCOR	Sensitive SCRs	Einzelheiten
S2004DS1RP	Littelfuse Inc.	SCR SENS 200V 4A TO-252	Einzelheiten