IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 - IXYS

부품 번호
IXTP1R6N50D2
제조사
IXYS
간단한 설명
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
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-
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
767 pcs
참고 가격
USD 2.52/pcs
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IXTP1R6N50D2 상세 설명

부품 번호 IXTP1R6N50D2
부품 상태 Active
FET 유형 N-Channel
과학 기술 MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 500V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 1.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) -
Vgs (th) (최대) @ Id -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 23.7nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 645pF @ 25V
Vgs (최대) ±20V
FET 기능 Depletion Mode
전력 발산 (최대) 100W (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 Through Hole
공급 업체 장치 패키지 TO-220AB
패키지 / 케이스 TO-220-3
무게 -
원산지 -

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