| 부품 번호 | IXTP05N100M |
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| 부품 상태 | Active |
| FET 유형 | N-Channel |
| 과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 1000V |
| 전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 700mA (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4.5V @ 25µA |
| 게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 260pF @ 25V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| FET 기능 | - |
| 전력 발산 (최대) | 25W (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 17 Ohm @ 375mA, 10V |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 실장 형 | Through Hole |
| 공급 업체 장치 패키지 | TO-220AB |
| 패키지 / 케이스 | TO-220-3 |
| 무게 | - |
| 원산지 | - |
| 영상 | 부품 번호 | 제조사 | 기술 | 전망 |
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IXTP01N100D | IXYS | MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB | 세부 |
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IXTP02N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220 | 세부 |
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IXTP02N50D | IXYS | MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220 | 세부 |
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IXTP05N100 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220 | 세부 |
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IXTP05N100M | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220 | 세부 |
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IXTP05N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263 | 세부 |
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IXTP06N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220 | 세부 |
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IXTP08N100D2 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB | 세부 |
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IXTP08N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220 | 세부 |
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IXTP08N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220 | 세부 |
