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Casa › Categorías de Producto › Productos semiconductores discretos › Transistores - FET, MOSFET - Simple › IXTP05N100M
IXTP05N100M

IXTP05N100M - IXYS

Número de pieza
IXTP05N100M
Fabricante
IXYS
Breve descripción
MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Vista en línea de la hoja de datos
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Descargar hoja de datos en PDF
IXTP05N100M.pdf
Categoría
Transistores - FET, MOSFET - Simple
El tiempo de entrega
1 Day
Código de fecha
New
Cantidad de stock
10943 pcs
Precio de referencia
USD 2.475/pcs
Nuestro precio
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IXTP05N100M Descripción detallada

Número de pieza IXTP05N100M
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1000V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 700mA (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 Ohm @ 375mA, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3
Peso -
País de origen -

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