IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 - IXYS

Numero di parte
IXTP1R6N50D2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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IXTP1R6N50D2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTP1R6N50D2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23.7nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 Ohm @ 800mA, 0V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3
Peso -
Paese d'origine -

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