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EPC2110ENGRT - EPC

부품 번호: EPC2110ENGRT
제조사: EPC
간단한 설명: TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: EPC2110ENGRT PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: -
범주: 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 62500 pcs
참고 가격: USD 1.0841/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

EPC2110ENGRT 상세 설명

부품 번호	EPC2110ENGRT
부품 상태	Active
FET 유형	2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 기능	GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss)	120V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id)	3.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id	2.5V @ 700µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs	0.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds	80pF @ 60V
전력 - 최대	-
작동 온도	-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	Die
공급 업체 장치 패키지	Die
무게	-
원산지	-

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영상	부품 번호	제조사	기술	전망
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