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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Array › EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT - EPC

Numero di parte
EPC2110ENGRT
fabbricante
EPC
Breve descrizione
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
EPC2110ENGRT Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
62500 pcs
Prezzo di riferimento
USD 1.0841/pcs
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EPC2110ENGRT Descrizione dettagliata

Numero di parte EPC2110ENGRT
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual) Common Source
Caratteristica FET GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 120V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 700µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.8nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 80pF @ 60V
Potenza - Max -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso Die
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Peso -
Paese d'origine -

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