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ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ › EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT

EPC2110ENGRT - EPC

品番
EPC2110ENGRT
メーカー
EPC
簡単な説明
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー
EPC2110ENGRT PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード
-
カテゴリー
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
納期
1 Day
日付コード
New
在庫数量
62500 pcs
参考価格
USD 1.0841/pcs
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EPC2110ENGRT 詳細な説明

品番 EPC2110ENGRT
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Common Source
FET機能 GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 120V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 3.4A
Rds On（Max）@ Id、Vgs 60 mOhm @ 4A, 5V
Vgs（th）（Max）@ Id 2.5V @ 700µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 0.8nC @ 5V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 80pF @ 60V
電力 - 最大 -
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース Die
サプライヤデバイスパッケージ Die
重量 -
原産国 -

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