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집 › 제품 카테고리 › 이산 소자 반도체 제품 › 트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일 › EPC2007
EPC2007

EPC2007 - EPC

부품 번호
EPC2007
제조사
EPC
간단한 설명
TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
무연 여부 / RoHS 준수 여부
무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트
EPC2007 PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드
EPC2007.pdf
범주
트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일
배달 시간
1 Day
날짜 코드
New
재고 수량
24489 pcs
참고 가격
USD 1.0527/pcs
우리의 가격
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EPC2007 상세 설명

부품 번호 EPC2007
부품 상태 Last Time Buy
FET 유형 N-Channel
과학 기술 GaNFET (Gallium Nitride)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) 100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 5V
Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1.2mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs 2.8nC @ 5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 205pF @ 50V
Vgs (최대) +6V, -5V
FET 기능 -
전력 발산 (최대) -
Rds On (최대) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 6A, 5V
작동 온도 -40°C ~ 125°C (TJ)
실장 형 Surface Mount
공급 업체 장치 패키지 Die Outline (5-Solder Bar)
패키지 / 케이스 Die
무게 -
원산지 -

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