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NESG7030M04-A - CEL

부품 번호: NESG7030M04-A
제조사: CEL
간단한 설명: DISCRETE RF DIODE
무연 여부 / RoHS 준수 여부: 무연 / RoHS 준수
온라인 데이터 시트: NESG7030M04-A PDF 온라인 브라우징
데이터 시트 PDF 다운로드: NESG7030M04-A.pdf
범주: 트랜지스터 - 양극(BJT) - RF
배달 시간: 1 Day
날짜 코드: New
재고 수량: 4049 pcs
참고 가격: USD 0/pcs
우리의 가격: 이메일로 보내기 : [email protected]

NESG7030M04-A 상세 설명

부품 번호	NESG7030M04-A
부품 상태	Obsolete
트랜지스터 유형	NPN
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대)	4.3V
빈도 - 전환	5.8GHz
잡음 지수 (dB Typ @ f)	0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
이득	14dB ~ 21dB
전력 - 최대	125mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce	200 @ 5mA, 2V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대)	30mA
작동 온도	150°C (TJ)
실장 형	Surface Mount
패키지 / 케이스	SOT-343F
공급 업체 장치 패키지	M04
무게	-
원산지	-

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