NESG7030M04-A - CEL

Número de pieza: NESG7030M04-A
Fabricante: CEL
Breve descripción: DISCRETE RF DIODE
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
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Categoría: Transistores - Bipolar (BJT) - RF
El tiempo de entrega: 1 Day
Código de fecha: New
Cantidad de stock: 4408 pcs
Precio de referencia: USD 0/pcs
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Número de pieza	NESG7030M04-A
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de transistor	NPN
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo)	4.3V
Frecuencia - Transición	5.8GHz
Figura de ruido (dB Typ @ f)	0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Ganancia	14dB ~ 21dB
Potencia - Max	125mW
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 5mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max)	30mA
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	SOT-343F
Paquete de dispositivo del proveedor	M04
Peso	-
País de origen	-

Imagen	Número de pieza	Fabricantes	Descripción	Ver
	NESG7030M04-A	CEL	DISCRETE RF DIODE	Detalles