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NESG7030M04-A - CEL

Numéro d'article: NESG7030M04-A
Fabricant: CEL
Brève description: DISCRETE RF DIODE
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique vue en ligne: NESG7030M04-A Navigation PDF en ligne
Fiche technique PDF Download: NESG7030M04-A.pdf
Catégorie: Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
Heure de livraison: 1 Day
Code de date: New
Quantité en stock: 4026 pcs
Prix de référence: USD 0/pcs
Notre prix: Envoyer par email: [email protected]

NESG7030M04-A Description détaillée

Numéro d'article	NESG7030M04-A
État de la pièce	Obsolete
Type de transistor	NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	4.3V
Fréquence - Transition	5.8GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f)	0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Gain	14dB ~ 21dB
Puissance - Max	125mW
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 5mA, 2V
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	30mA
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-343F
Package de périphérique fournisseur	M04
Poids	-
Pays d'origine	-

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