NESG7030M04-A

NESG7030M04-A - CEL

Artikelnummer
NESG7030M04-A
Hersteller
CEL
Kurze Beschreibung
DISCRETE RF DIODE
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt Online-Ansicht
NESG7030M04-A PDF-Online-Browsing
Datenblatt PDF herunterladen
NESG7030M04-A.pdf
Kategorie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
4166 pcs
Referenzpreis
USD 0/pcs
Unser Preis
Senden Sie per E-Mail: [email protected]

Bitte füllen Sie das folgende Formular aus, um ein Angebot für anzufordern NESG7030M04-A

NESG7030M04-A detaillierte Beschreibung

Artikelnummer NESG7030M04-A
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 4.3V
Frequenz - Übergang 5.8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz
Gewinnen 14dB ~ 21dB
Leistung max 125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 30mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Lieferantengerätepaket M04
Gewicht -
Ursprungsland -

VERWANDTE PRODUKTE FÜR NESG7030M04-A