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VS-GT300YH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

品番: VS-GT300YH120N
メーカー: Vishay Semiconductor Diodes Division
簡単な説明: IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: 鉛フリー/ RoHS準拠
データシートのオンラインビュー: VS-GT300YH120N PDFオンラインブラウジング
データシートPDFダウンロード: -
カテゴリー: トランジスタ - IGBT - モジュール
納期: 1 Day
日付コード: New
在庫数量: 150 pcs
参考価格: USD 171.4625/pcs
私達の価格: メールで送信：[email protected]

VS-GT300YH120N 詳細な説明

品番	VS-GT300YH120N
部品ステータス	Active
IGBTタイプ	Trench
構成	Half Bridge
電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大）	1200V
電流 - コレクタ（Ic）（最大）	341A
電力 - 最大	1042W
Vce（on）（Max）@ Vge、Ic	2.17V @ 15V, 300A (Typ)
電流 - コレクタ遮断（最大）	300µA
入力容量（Cies）@ Vce	36nF @ 30V
入力	Standard
NTCサーミスタ	No
動作温度	-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Chassis Mount
パッケージ/ケース	Double INT-A-PAK (3 + 8)
サプライヤデバイスパッケージ	Double INT-A-PAK
重量	-
原産国	-

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