VS-GT300YH120N

VS-GT300YH120N - Vishay Semiconductor Diodes Division

Artikelnummer
VS-GT300YH120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Kurze Beschreibung
IGBT 1200V 341A 1042W DIAP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
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VS-GT300YH120N PDF-Online-Browsing
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Kategorie
Transistoren - IGBTs - Module
Lieferzeit
1 Day
Datumscode
New
Bestandsmenge
148 pcs
Referenzpreis
USD 171.4625/pcs
Unser Preis
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VS-GT300YH120N detaillierte Beschreibung

Artikelnummer VS-GT300YH120N
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 341A
Leistung max 1042W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 300A (Typ)
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 300µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK
Gewicht -
Ursprungsland -

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